制造商型号： | CSD18536KTTT |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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TI(德州仪器) CSD18536KTTT
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CSD18536KTTT 中文资料
数据手册PDF
CSD18536KTTT 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 200 A
漏源电阻 1.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 140 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
正向跨导（Min） 312 S
湿度敏感性 Yes
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 24 ns
典型接通延迟时间 11 ns
外形参数
高度 19.7 mm
长度 9.25 mm
宽度 10.26 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
CSD18536KTTT 引脚图与封装图
CSD18536KTTT引脚图
CSD18536KTTT封装图
CSD18536KTTT封装焊盘图
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 50 | 31.480222 | 1574.01 |
| 100 | 27.282859 | 2728.29 |
| 250 | 25.883738 | 6470.93 |
| 500 | 23.225408 | 11612.70 |
| 1250 | 20.986815 | 26233.52 |
品牌其他型号
CSD18536KTTT品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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