锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

CSD18536KTTT

CSD18536KTTT

TI(德州仪器) 分立器件

TEXAS INSTRUMENTS  CSD18536KTTT  晶体管, MOSFET, NexFET™, N沟道, 349 A, 60 V, 0.0013 ohm, 10 V, 1.8 V 新

N-Channel 60V 200A Ta, 349A Tc 375W Tc Surface Mount DDPAK/TO-263-3


得捷:
MOSFET N-CH 60V 200A/349A DDPAK


立创商城:
CSD18536KTTT


德州仪器TI:
60-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single D2PAK, 1.6 mOhm


贸泽:
MOSFET 60V, N-Channel NexFET Power MOSFET 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175


e络盟:
晶体管, MOSFET, NexFET™, N沟道, 349 A, 60 V, 0.0013 ohm, 10 V, 1.8 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 4-Pin3+Tab TO-263 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 375W; D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 4-Pin3+Tab TO-263 T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD18536KTTT  MOSFET, N-CH, 60V, 349A, TO-263-3


CSD18536KTTT中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0013 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 375 W

阈值电压 1.8 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 200A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 11430pF @30VVds

下降时间 4 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 375W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 9.25 mm

高度 4.7 mm

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

CSD18536KTTT引脚图与封装图
CSD18536KTTT引脚图

CSD18536KTTT引脚图

CSD18536KTTT封装图

CSD18536KTTT封装图

CSD18536KTTT封装焊盘图

CSD18536KTTT封装焊盘图

在线购买CSD18536KTTT
型号 制造商 描述 购买
CSD18536KTTT TI 德州仪器 TEXAS INSTRUMENTS  CSD18536KTTT  晶体管, MOSFET, NexFET™, N沟道, 349 A, 60 V, 0.0013 ohm, 10 V, 1.8 V 新 搜索库存
替代型号CSD18536KTTT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD18536KTTT

品牌: TI 德州仪器

封装: TO-263 N-Channel 60V 200A

当前型号

TEXAS INSTRUMENTS  CSD18536KTTT  晶体管, MOSFET, NexFET™, N沟道, 349 A, 60 V, 0.0013 ohm, 10 V, 1.8 V 新

当前型号

型号: CSD18536KTT

品牌: 德州仪器

封装: TO-263 N-CH 60V 200A

功能相似

60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、1.6mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175

CSD18536KTTT和CSD18536KTT的区别