CSD18536KTT、CSD18536KTTT、CSD19535KTT对比区别

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型号 CSD18536KTT CSD18536KTTT CSD19535KTT

描述 60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、1.6mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175TEXAS INSTRUMENTS  CSD18536KTTT  晶体管, MOSFET, NexFET™, N沟道, 349 A, 60 V, 0.0013 ohm, 10 V, 1.8 V 新CSD19535KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 3 4

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 375 W 375 W 300 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 200A 200A 200A

上升时间 5 ns 5 ns 18 ns

输入电容(Ciss) 11430pF @30V(Vds) 11430pF @30V(Vds) 7930pF @50V(Vds)

下降时间 4 ns 4 ns 15 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 375W (Tc) 375W (Tc) 300W (Tc)

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.0013 Ω -

阈值电压 - 1.8 V -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 9.25 mm -

高度 - 4.7 mm -

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 Active 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead Contains Lead

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -