制造商型号: | CSD18509Q5BT |
制造商: | TI (德州仪器) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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TI(德州仪器) CSD18509Q5BT
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CSD18509Q5BT 中文资料
数据手册PDF
CSD18509Q5BT 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 1.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 150 nC
耗散功率 195 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 180 S
上升时间 19 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 57 ns
典型接通延迟时间 9 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 24 mg
库存: 14903
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 33.477912 | 33.48 |
10 | 27.799066 | 277.99 |
100 | 22.12518 | 2212.52 |
品牌其他型号
CSD18509Q5BT品牌厂家:TI
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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