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CSD18509Q5BT

CSD18509Q5BT

TI(德州仪器) 分立器件

TEXAS INSTRUMENTS  CSD18509Q5BT  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.001 ohm, 10 V, 1.8 V

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments

### MOSFET ,Texas Instruments


得捷:
MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON


立创商城:
CSD18509Q5BT


德州仪器TI:
40-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 1.2 mOhm


欧时:
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18509Q5BT, 299 A, Vds=40 V, 8引脚 VSON-CLIP封装


贸泽:
MOSFET 40V,NCh NexFET Pwr MOSFET


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.001 ohm, 10 V, 1.8 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin VSON T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 195W; VSON-CLIP8 5x6mm


Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD18509Q5BT  MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 40 V, 0.001 ohm, 10 V, 1.8 V


CSD18509Q5BT中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.001 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 195 W

阈值电压 1.8 V

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 19 ns

输入电容Ciss 10700pF @20VVds

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.1W Ta, 195W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-Clip-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 5 mm

高度 1 mm

封装 VSON-Clip-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

CSD18509Q5BT引脚图与封装图
CSD18509Q5BT引脚图

CSD18509Q5BT引脚图

CSD18509Q5BT封装图

CSD18509Q5BT封装图

CSD18509Q5BT封装焊盘图

CSD18509Q5BT封装焊盘图

在线购买CSD18509Q5BT
型号 制造商 描述 购买
CSD18509Q5BT TI 德州仪器 TEXAS INSTRUMENTS  CSD18509Q5BT  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.001 ohm, 10 V, 1.8 V 搜索库存
替代型号CSD18509Q5BT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD18509Q5BT

品牌: TI 德州仪器

封装: VSON N-Channel 40V 100A

当前型号

TEXAS INSTRUMENTS  CSD18509Q5BT  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.001 ohm, 10 V, 1.8 V

当前型号

型号: CSD18509Q5B

品牌: 德州仪器

封装: VSON-CLIP N-CH 40V 100A

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40V、N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET,CSD18509Q5B

CSD18509Q5BT和CSD18509Q5B的区别