制造商型号: | SISS30DN-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CHAN 80-V POWERPAK 1212 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SISS30DN-T1-GE3
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SISS30DN-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SISS30DN-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 54.7 A
漏源电阻 8.25 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 40 nC
耗散功率 57 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导(Min) 44 S
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
库存: 6000
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 13.468066 | 13.47 |
10 | 12.034768 | 120.35 |
25 | 11.416966 | 285.42 |
100 | 8.562725 | 856.27 |
250 | 8.481175 | 2120.29 |
500 | 7.257929 | 3628.96 |
1000 | 5.912357 | 5912.36 |
品牌其他型号
SISS30DN-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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