制造商型号: | SUG80050E-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICONIX(威世) SUG80050E-GE3
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SUG80050E-GE3 中文资料
数据手册PDF
SUG80050E-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 4.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 165 nC
耗散功率 500 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 55 ns
正向跨导(Min) 60 S
上升时间 44 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 72 ns
典型接通延迟时间 18 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥66.598949 总价:¥66.60 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 66.598949 | 66.60 |
10 | 59.827849 | 598.28 |
100 | 49.018802 | 4901.88 |
500 | 41.728504 | 20864.25 |
1000 | 37.70662 | 37706.62 |
品牌其他型号
SUG80050E-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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