制造商型号: | US6M1TR |
制造商: | ROHM (罗姆) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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ROHM(罗姆) US6M1TR
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US6M1TR 中文资料
数据手册PDF
US6M1TR 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 1.4 A
漏源电阻 170 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V, 2 V
栅极电荷 1.4 nC, 2.1 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8 nS, 10 nS
正向跨导(Min) 1 S, 0.7 S
上升时间 6 nS, 8 nS
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 13 nS, 25 nS
典型接通延迟时间 6 nS, 9 nS
外形参数
高度 0.77 mm
长度 2 mm
宽度 1.7 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 US6M1
单位重量 7.500 mg
库存: 1014
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 8.031415 | 8.03 |
10 | 6.857593 | 68.58 |
25 | 6.400421 | 160.01 |
100 | 4.754598 | 475.46 |
250 | 4.516868 | 1129.22 |
500 | 3.712243 | 1856.12 |
1000 | 3.017341 | 3017.34 |
品牌其他型号
US6M1TR品牌厂家:ROHM
,所属分类: 射频晶体管
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