制造商型号： | US6M2GTR |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | 2.5V DRIVE NCH+PCH MOSFET, 6 PIN |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ROHM(罗姆) US6M2GTR
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US6M2GTR 中文资料
数据手册PDF
US6M2GTR 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V, 20 V
漏极电流 1.5 A, 1 A
漏源电阻 170 mOhms, 280 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V, 2 V
栅极电荷 1.6 nC, 2.1 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 6 ns, 10 ns
上升时间 9 ns, 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns, 25 ns
典型接通延迟时间 7 ns, 9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥8.099467 总价：￥8.10 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 8.099467 | 8.10 |
| 10 | 6.990463 | 69.90 |
| 100 | 4.842236 | 484.22 |
| 500 | 4.045996 | 2023.00 |
| 1000 | 3.443396 | 3443.40 |
