制造商型号： | CSD17579Q3AT |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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TI(德州仪器) CSD17579Q3AT
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CSD17579Q3AT 中文资料
数据手册PDF
CSD17579Q3AT 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 11.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 5.3 nC
耗散功率 29 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1 ns
正向跨导（Min） 37 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 2 ns
外形参数
高度 0.9 mm
长度 3.15 mm
宽度 3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 27.300 mg
库存： 5016
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 15.836782 | 15.84 |
| 10 | 12.918823 | 129.19 |
| 100 | 10.050745 | 1005.07 |
品牌其他型号
CSD17579Q3AT品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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