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CSD17579Q3AT

CSD17579Q3AT

TI(德州仪器) 分立器件

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments### MOSFET 晶体管,Texas Instruments

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments


得捷:
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON


立创商城:
CSD17579Q3AT


德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 14.2 mOhm


欧时:
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17579Q3AT, 11 A, Vds=30 V, 8引脚 VSCONP封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin VSONP T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 29W; VSONP8 3,3x3,3mm


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD17579Q3AT  MOSFET Transistor, N Channel, 20 A, 30 V, 0.0087 ohm, 10 V, 1.5 V


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON


CSD17579Q3AT中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.0087 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 29 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 20A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 768pF @15VVds

下降时间 1 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.2W Ta, 29W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSONP-8

外形尺寸

长度 3.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 0.9 mm

封装 VSONP-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

CSD17579Q3AT引脚图与封装图
CSD17579Q3AT引脚图

CSD17579Q3AT引脚图

CSD17579Q3AT封装图

CSD17579Q3AT封装图

CSD17579Q3AT封装焊盘图

CSD17579Q3AT封装焊盘图

在线购买CSD17579Q3AT
型号 制造商 描述 购买
CSD17579Q3AT TI 德州仪器 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments ### MOSFET 晶体管,Texas Instruments 搜索库存
替代型号CSD17579Q3AT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD17579Q3AT

品牌: TI 德州仪器

封装: VSONP-8 N-Channel 30V 20A

当前型号

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments### MOSFET 晶体管,Texas Instruments

当前型号

型号: CSD17579Q3A

品牌: 德州仪器

封装: VSONP-8 N-CH 30V 20A

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CSD17579Q3A 30 V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD17579Q3AT和CSD17579Q3A的区别

型号: RQ3E180BNTB

品牌: 罗姆半导体

封装:

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