制造商型号: | CSD17308Q3 |
制造商: | TI (德州仪器) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 30V 47A 8SON |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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TI(德州仪器) CSD17308Q3
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CSD17308Q3 中文资料
数据手册PDF
CSD17308Q3 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 10.3 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 3.9 nC
耗散功率 28 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.3 ns
上升时间 5.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 9.9 ns
典型接通延迟时间 4.5 ns
规格参数
开发套件 BQ500211AEVM-210
外形参数
高度 1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 41 mg
品牌其他型号
CSD17308Q3品牌厂家:TI
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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