制造商型号: | SE4435 |
制造商: | SINO-IC (光宇睿芯) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 9.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:P沟道 |
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SINO-IC(光宇睿芯) SE4435
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SE4435 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SE4435
制造商
SINO-IC(光宇睿芯)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 9.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:P沟道
漏源电压(Vdss)
-30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
7A
栅源极阈值电压
3V @ 250uA
漏源导通电阻
20mΩ @ 9.1A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
1.5W
类型
P沟道
包装方式
编带
库存: 4060
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
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SE4435品牌厂家:SINO-IC
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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