制造商型号： | SE7401P |
制造商： | SINO-IC (光宇睿芯) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.2A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：120mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：900mW 类型：P沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
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客服： | |
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SINO-IC(光宇睿芯) SE7401P
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SE7401P 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SE7401P
制造商
SINO-IC(光宇睿芯)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.2A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：120mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：900mW 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
-20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
2.2A
栅源极阈值电压
900mV @ 250uA
漏源导通电阻
120mΩ @ 2A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
900mW
类型
P沟道
包装方式
编带
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 10 | 0.277544 | 2.78 |
| 100 | 0.226621 | 22.66 |
| 300 | 0.201159 | 60.35 |
| 1000 | 0.182063 | 182.06 |
| 5000 | 0.166786 | 833.93 |
品牌其他型号
SE7401P品牌厂家：SINO-IC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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