制造商型号: | SE1991G |
制造商: | SINO-IC (光宇睿芯) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):223W 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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SINO-IC(光宇睿芯) SE1991G
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SE1991G 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SE1991G
制造商
SINO-IC(光宇睿芯)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):223W 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
120A
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
5mΩ @ 50A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
223W
类型
N沟道
包装方式
管装
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 6.490798 | 6.49 |
10 | 5.387144 | 53.87 |
50 | 4.600381 | 230.02 |
100 | 4.054017 | 405.40 |
500 | 3.726199 | 1863.10 |
品牌其他型号
SE1991G品牌厂家:SINO-IC
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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