制造商型号： | MTB090N06N3 |
制造商： | CY (超音) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.9A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：100mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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CY(超音) MTB090N06N3
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MTB090N06N3 规格参数
属性
参数值
制造商型号
MTB090N06N3
制造商
CY(超音)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.9A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：100mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
3.9A
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
100mΩ @ 3A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
1.25W
类型
N沟道
包装方式
编带
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 5 | 0.559826 | 2.80 |
| 50 | 0.459933 | 23.00 |
| 150 | 0.409987 | 61.50 |
| 500 | 0.372526 | 186.26 |
| 2500 | 0.342559 | 856.40 |
品牌其他型号
MTB090N06N3品牌厂家：CY
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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