制造商型号: | MTP5103N3 |
制造商: | CY (超音) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.5A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.38W 类型:P沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
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CY(超音) MTP5103N3
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MTP5103N3 规格参数
属性
参数值
制造商型号
MTP5103N3
制造商
CY(超音)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.5A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.38W 类型:P沟道
漏源电压(Vdss)
-30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
4.5A
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
50mΩ @ 4.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
1.38W
类型
P沟道
包装方式
编带
库存: 10
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
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MTP5103N3品牌厂家:CY
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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