制造商型号: | MTP4435AQ8 |
制造商: | CY (超音) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):12.3A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:16mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:P沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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CY(超音) MTP4435AQ8
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MTP4435AQ8 规格参数
属性
参数值
制造商型号
MTP4435AQ8
制造商
CY(超音)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):12.3A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:16mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:P沟道
漏源电压(Vdss)
-30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
12.3A
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
16mΩ @ 8A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
3.1W
类型
P沟道
包装方式
编带
品牌其他型号
MTP4435AQ8品牌厂家:CY
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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