制造商型号: | MTB1D0N03RH8 |
制造商: | CY (超音) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):84A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W(Tc) 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | |
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CY(超音) MTB1D0N03RH8
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MTB1D0N03RH8 规格参数
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制造商型号
MTB1D0N03RH8
制造商
CY(超音)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):84A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W(Tc) 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
84A(Tc)
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
1mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
83W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 41
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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MTB1D0N03RH8品牌厂家:CY
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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