制造商型号： | SW055R03VT |
制造商： | MW (台湾明纬) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.8V @ 250uA 漏源导通电阻：7.1mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.9W 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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MW(台湾明纬) SW055R03VT
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SW055R03VT 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SW055R03VT
制造商
MW(台湾明纬)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.8V @ 250uA 漏源导通电阻：7.1mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.9W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
20A
栅源极阈值电压
1.8V @ 250uA
漏源导通电阻
7.1mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
2.9W
类型
N沟道
包装方式
编带
品牌其他型号
SW055R03VT品牌厂家：MW
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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