制造商型号: | SE6050B |
制造商: | SINO-IC (光宇睿芯) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):80W 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
提示: | 联系在线客服,获得更多SE6050B价格库存等采购信息! |
SINO-IC(光宇睿芯) SE6050B
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
SE6050B 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SE6050B
制造商
SINO-IC(光宇睿芯)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):80W 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
50A
栅源极阈值电压
3V @ 250uA
漏源导通电阻
15mΩ @ 4A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
80W
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 215
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1+ : 需询价 |
品牌其他型号
SE6050B品牌厂家:SINO-IC
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
,可在锐单商城现货采购SE6050B、查询SE6050B代理商; SE6050B价格批发咨询客服;这里拥有
SE6050B中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到
SE6050B替代型号
、
SE6050B数据手册PDF。