制造商型号: | SE630K |
制造商: | SINO-IC (光宇睿芯) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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SINO-IC(光宇睿芯) SE630K
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SE630K 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SE630K
制造商
SINO-IC(光宇睿芯)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
11A
栅源极阈值电压
2V @ 250uA
漏源导通电阻
10mΩ @ 8A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
2.5W
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 1.100047 | 1.10 |
10 | 0.921816 | 9.22 |
30 | 0.845431 | 25.36 |
100 | 0.769046 | 76.90 |
500 | 0.718123 | 359.06 |
品牌其他型号
SE630K品牌厂家:SINO-IC
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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