制造商型号： | SE100P60A |
制造商： | SINO-IC (光宇睿芯) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：188W 类型：P沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SINO-IC(光宇睿芯) SE100P60A
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SE100P60A 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SE100P60A
制造商
SINO-IC(光宇睿芯)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：188W 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
60A
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
25mΩ @ 60A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
188W
类型
P沟道
包装方式
管装
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 3.935938 | 3.94 |
| 10 | 3.437315 | 34.37 |
| 30 | 3.1827 | 95.48 |
| 100 | 2.991738 | 299.17 |
| 500 | 2.811385 | 1405.69 |
品牌其他型号
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SE100P60A品牌厂家：SINO-IC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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