制造商型号: | SED10070GG |
制造商: | SINO-IC (光宇睿芯) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):70A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:9.8mΩ @ 39A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):170W 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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SINO-IC(光宇睿芯) SED10070GG
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SED10070GG 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SED10070GG
制造商
SINO-IC(光宇睿芯)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):70A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:9.8mΩ @ 39A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):170W 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
70A
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
9.8mΩ @ 39A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
170W
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 3.190763 | 3.19 |
10 | 2.60069 | 26.01 |
30 | 2.305654 | 69.17 |
100 | 2.010618 | 201.06 |
500 | 1.835781 | 917.89 |
品牌其他型号
SED10070GG品牌厂家:SINO-IC
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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