制造商型号： | SE40300GTS |
制造商： | SINO-IC (光宇睿芯) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：288A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：2mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
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客服： | |
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SINO-IC(光宇睿芯) SE40300GTS
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SE40300GTS 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SE40300GTS
制造商
SINO-IC(光宇睿芯)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：288A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：2mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
40V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
288A
栅源极阈值电压
3V @ 250uA
漏源导通电阻
2mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
250W
类型
N沟道
包装方式
管装
库存： 22
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 9.9099 | 9.91 |
| 10 | 9.1476 | 91.48 |
| 30 | 8.99514 | 269.85 |
| 100 | 8.53776 | 853.78 |
品牌其他型号
SE40300GTS品牌厂家：SINO-IC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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