制造商型号: | HSU60P02 |
制造商: | HUASHUO (华朔) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 15A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):70W 类型:P沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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HUASHUO(华朔) HSU60P02
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HSU60P02 规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSU60P02
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 15A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):70W 类型:P沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
60A
栅源极阈值电压
1V @ 250uA
漏源导通电阻
8.5mΩ @ 15A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)
70W
类型
P沟道
包装方式
编带
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 1.584772 | 1.58 |
10 | 1.309999 | 13.10 |
30 | 1.192239 | 35.77 |
100 | 1.07448 | 107.45 |
500 | 0.995973 | 497.99 |
品牌其他型号
HSU60P02品牌厂家:HUASHUO
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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