制造商型号: | HSU6032 |
制造商: | HUASHUO (华朔) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):41W 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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HUASHUO(华朔) HSU6032
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HSU6032 规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSU6032
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):41W 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
75A
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
8.5mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
41W
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 900
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 1.754512 | 1.75 |
30 | 1.694012 | 50.82 |
100 | 1.573012 | 157.30 |
500 | 1.452012 | 726.01 |
1000 | 1.391512 | 1391.51 |
品牌其他型号
HSU6032品牌厂家:HUASHUO
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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