制造商型号： | HSBG2024 |
制造商： | HUASHUO (华朔) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.4A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：230mΩ @ 0.55A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：0.7W 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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HUASHUO(华朔) HSBG2024
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HSBG2024 规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSBG2024
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.4A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：230mΩ @ 0.55A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：0.7W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
1.4A
栅源极阈值电压
1V @ 250uA
漏源导通电阻
230mΩ @ 0.55A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
0.7W
类型
N沟道
包装方式
编带
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 10 | 0.368376 | 3.68 |
| 100 | 0.30262 | 30.26 |
| 300 | 0.269743 | 80.92 |
| 1000 | 0.245083 | 245.08 |
| 5000 | 0.200424 | 1002.12 |
品牌其他型号
HSBG2024品牌厂家：HUASHUO
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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