制造商型号： | HSBA20N15S |
制造商： | HUASHUO (华朔) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：23A 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：56mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：72.6W 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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HUASHUO(华朔) HSBA20N15S
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HSBA20N15S 规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSBA20N15S
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：23A 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：56mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：72.6W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
150V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
23A
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
56mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
72.6W
类型
N沟道
包装方式
编带
库存： 700
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 2.13444 | 2.13 |
| 10 | 2.04974 | 20.50 |
| 100 | 1.79564 | 179.56 |
| 500 | 1.74482 | 872.41 |
品牌其他型号
HSBA20N15S品牌厂家：HUASHUO
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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