制造商型号: | HSBA3050 |
制造商: | HUASHUO (华朔) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3.8mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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HUASHUO(华朔) HSBA3050
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HSBA3050 规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSBA3050
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3.8mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
75A
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
3.8mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
50W
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 1.680253 | 1.68 |
10 | 1.40548 | 14.05 |
30 | 1.28772 | 38.63 |
100 | 1.169961 | 117.00 |
500 | 1.091454 | 545.73 |
品牌其他型号
HSBA3050品牌厂家:HUASHUO
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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