制造商型号: | HSBA3031 |
制造商: | HUASHUO (华朔) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):70A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:7.2mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):90W 类型:P沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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HUASHUO(华朔) HSBA3031
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HSBA3031 规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSBA3031
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):70A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:7.2mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):90W 类型:P沟道
漏源电压(Vdss)
-30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
70A
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
7.2mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
90W
类型
P沟道
包装方式
编带
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 2.846289 | 2.85 |
10 | 2.300137 | 23.00 |
30 | 2.05857 | 61.76 |
100 | 1.764489 | 176.45 |
500 | 1.638454 | 819.23 |
品牌其他型号
HSBA3031品牌厂家:HUASHUO
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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