制造商型号: | HSU6113 |
制造商: | HUASHUO (华朔) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):31.3W 类型:P沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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HUASHUO(华朔) HSU6113
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HSU6113 规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSU6113
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):31.3W 类型:P沟道
漏源电压(Vdss)
-60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
13A
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
90mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
31.3W
类型
P沟道
包装方式
编带
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
5 | 1.604998 | 8.02 |
50 | 1.277834 | 63.89 |
150 | 1.137638 | 170.65 |
500 | 0.962693 | 481.35 |
2500 | 0.863145 | 2157.86 |
品牌其他型号
HSU6113品牌厂家:HUASHUO
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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