制造商型号: | HSBA15810C |
制造商: | HUASHUO (华朔) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4.0V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):208W 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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HUASHUO(华朔) HSBA15810C
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HSBA15810C 规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSBA15810C
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4.0V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):208W 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
100A
栅源极阈值电压
4.0V @ 250uA
漏源导通电阻
4.5mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
208W
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 4
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 4.9126 | 4.91 |
30 | 4.73715 | 142.11 |
100 | 4.38625 | 438.63 |
500 | 4.03535 | 2017.68 |
1000 | 3.8599 | 3859.90 |
品牌其他型号
HSBA15810C品牌厂家:HUASHUO
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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