制造商型号: | HSM4062 |
制造商: | HUASHUO (华朔) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.5A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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HUASHUO(华朔) HSM4062
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HSM4062 规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSM4062
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.5A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
9.5A
栅源极阈值电压
2.4V @ 250uA
漏源导通电阻
15mΩ @ 8A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
2W
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
5 | 1.35826 | 6.79 |
50 | 1.11043 | 55.52 |
150 | 1.004216 | 150.63 |
500 | 0.871778 | 435.89 |
品牌其他型号
HSM4062品牌厂家:HUASHUO
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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