制造商型号： | HSW6811 |
制造商： | HUASHUO (华朔) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.0V @ 250uA 漏源导通电阻：130mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：双P沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
提示： | 联系在线客服，获得更多HSW6811价格库存等采购信息！ |
HUASHUO(华朔) HSW6811
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
HSW6811 规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSW6811
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.0V @ 250uA 漏源导通电阻：130mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：双P沟道
漏源电压（Vdss）
20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
2A
栅源极阈值电压
1.0V @ 250uA
漏源导通电阻
130mΩ @ 2A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
1W
类型
双P沟道
包装方式
编带
品牌其他型号
HSW6811品牌厂家：HUASHUO
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
，可在锐单商城现货采购HSW6811、查询HSW6811代理商； HSW6811价格批发咨询客服；这里拥有
HSW6811中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到
HSW6811替代型号
、
HSW6811数据手册PDF。