制造商型号: | HSBG2103 |
制造商: | HUASHUO (华朔) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):0.65A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.0V @ 250uA 漏源导通电阻:520mΩ @ 0.65A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):0.15W 类型:P沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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HUASHUO(华朔) HSBG2103
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HSBG2103 规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSBG2103
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):0.65A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.0V @ 250uA 漏源导通电阻:520mΩ @ 0.65A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):0.15W 类型:P沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
0.65A
栅源极阈值电压
1.0V @ 250uA
漏源导通电阻
520mΩ @ 0.65A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)
0.15W
类型
P沟道
包装方式
编带
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
10 | 0.292957 | 2.93 |
100 | 0.240506 | 24.05 |
300 | 0.21428 | 64.28 |
1000 | 0.194611 | 194.61 |
5000 | 0.158662 | 793.31 |
品牌其他型号
HSBG2103品牌厂家:HUASHUO
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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