制造商型号： | UT2305G-AE2-R |
制造商： | TC (德昌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.2A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 4.2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：830mW 类型：P沟道 |
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TC(德昌) UT2305G-AE2-R
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UT2305G-AE2-R 规格参数
属性
参数值
制造商型号
UT2305G-AE2-R
制造商
TC(德昌)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.2A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 4.2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：830mW 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
-20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
4.2A
栅源极阈值电压
1.2V @ 250uA
漏源导通电阻
65mΩ @ 4.2A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
830mW
类型
P沟道
包装方式
编带
库存： 290
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
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| 1+ ： 需询价 | ||
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UT2305G-AE2-R品牌厂家：TC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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