制造商型号： | 8N65KL-TF1-T |
制造商： | TC (德昌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
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TC(德昌) 8N65KL-TF1-T
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8N65KL-TF1-T 规格参数
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制造商型号
8N65KL-TF1-T
制造商
TC(德昌)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
8A
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
1.4Ω @ 4A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
48W
类型
N沟道
包装方式
管装
库存： 20
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
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8N65KL-TF1-T品牌厂家：TC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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