制造商型号： | UT2316G-AE3-R |
制造商： | TC (德昌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.6A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：800mV @ 250uA(最小) 漏源导通电阻：50mΩ @ 3.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：960mW 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
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客服： | |
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TC(德昌) UT2316G-AE3-R
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UT2316G-AE3-R 规格参数
属性
参数值
制造商型号
UT2316G-AE3-R
制造商
TC(德昌)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.6A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：800mV @ 250uA(最小) 漏源导通电阻：50mΩ @ 3.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：960mW 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
3.6A
栅源极阈值电压
800mV @ 250uA(最小)
漏源导通电阻
50mΩ @ 3.4A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
960mW
类型
N沟道
包装方式
编带
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 10 | 0.402002 | 4.02 |
| 100 | 0.321373 | 32.14 |
| 300 | 0.281059 | 84.32 |
| 1000 | 0.250824 | 250.82 |
| 5000 | 0.226635 | 1133.17 |
品牌其他型号
UT2316G-AE3-R品牌厂家：TC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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