制造商型号: | 4N60L-B-TM3-T |
制造商: | TC (德昌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5Ω @ 2.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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TC(德昌) 4N60L-B-TM3-T
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4N60L-B-TM3-T 规格参数
属性
参数值
制造商型号
4N60L-B-TM3-T
制造商
TC(德昌)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5Ω @ 2.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
4A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
2.5Ω @ 2.2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
50W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
管装
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 1.913651 | 1.91 |
10 | 1.595381 | 15.95 |
30 | 1.364636 | 40.94 |
100 | 1.17431 | 117.43 |
500 | 1.141847 | 570.92 |
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4N60L-B-TM3-T品牌厂家:TC
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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