制造商型号： | HSM3214 |
制造商： | HUASHUO (华朔) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：12mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：双N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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HUASHUO(华朔) HSM3214
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HSM3214 规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSM3214
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：12mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：双N沟道
漏源电压（Vdss）
-30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
10A
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
12mΩ @ 8A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
1.5W
类型
双N沟道
包装方式
编带
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 5 | 0.941056 | 4.71 |
| 50 | 0.74819 | 37.41 |
| 150 | 0.66558 | 99.84 |
| 500 | 0.562426 | 281.21 |
| 2500 | 0.516532 | 1291.33 |
品牌其他型号
HSM3214品牌厂家：HUASHUO
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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