制造商型号: | HSST3134 |
制造商: | HUASHUO (华朔) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):900mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:400mΩ @ 0.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):250mW 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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HUASHUO(华朔) HSST3134
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HSST3134 规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSST3134
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):900mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:400mΩ @ 0.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):250mW 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
900mA
栅源极阈值电压
1V @ 250uA
漏源导通电阻
400mΩ @ 0.8A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)
250mW
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
10 | 0.252398 | 2.52 |
100 | 0.201476 | 20.15 |
300 | 0.176016 | 52.80 |
1000 | 0.156921 | 156.92 |
5000 | 0.141644 | 708.22 |
品牌其他型号
HSST3134品牌厂家:HUASHUO
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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