制造商型号: | HSM3303 |
制造商: | HUASHUO (华朔) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.5A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:双P沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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HUASHUO(华朔) HSM3303
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HSM3303 规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSM3303
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.5A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:双P沟道
漏源电压(Vdss)
-30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
6.5A
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
25mΩ @ 6A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
1.5W
类型
双P沟道
包装方式
编带
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 1.830537 | 1.83 |
10 | 1.495506 | 14.96 |
30 | 1.351921 | 40.56 |
100 | 1.172824 | 117.28 |
品牌其他型号
HSM3303品牌厂家:HUASHUO
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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