制造商型号： | AO4800 |
制造商： | VBsemi (台湾微碧) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.2A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：22mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.78W 类型：双N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
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客服： | |
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VBsemi(台湾微碧) AO4800
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AO4800 规格参数
属性
参数值
制造商型号
AO4800
制造商
VBsemi(台湾微碧)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.2A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：22mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.78W 类型：双N沟道
漏源电压（Vdss）
30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
6.2A
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
22mΩ @ 5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
1.78W
类型
双N沟道
包装方式
编带
库存： 0
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 1.289429 | 1.29 |
| 10 | 1.233367 | 12.33 |
品牌其他型号
AO4800品牌厂家：VBsemi
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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