制造商型号: | 2SK3148 |
制造商: | VBsemi (台湾微碧) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:34mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.7W 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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VBsemi(台湾微碧) 2SK3148
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2SK3148 规格参数
属性
参数值
制造商型号
2SK3148
制造商
VBsemi(台湾微碧)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:34mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.7W 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
50A(Tc)
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
34mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
3.7W
类型
N沟道
包装方式
管装
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 5.325717 | 5.33 |
10 | 4.33908 | 43.39 |
30 | 3.628277 | 108.85 |
100 | 3.034174 | 303.42 |
500 | 2.928084 | 1464.04 |
品牌其他型号
2SK3148品牌厂家:VBsemi
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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