制造商型号: | KIA3400 |
制造商: | KIA |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:600mV @ 250uA(最小) 漏源导通电阻:40mΩ @ 4.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
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KIA KIA3400
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KIA3400 规格参数
属性
参数值
制造商型号
KIA3400
制造商
KIA
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:600mV @ 250uA(最小) 漏源导通电阻:40mΩ @ 4.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
4.8A
栅源极阈值电压
600mV @ 250uA(最小)
漏源导通电阻
40mΩ @ 4.8A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
1.4W
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 20
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
5 | 0.382602 | 1.91 |
20 | 0.348843 | 6.98 |
100 | 0.315084 | 31.51 |
500 | 0.281325 | 140.66 |
1000 | 0.265571 | 265.57 |
品牌其他型号
KIA3400品牌厂家:KIA
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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