制造商型号： | APTGTQ100DA65T1G |
制造商： | MICROSEMI (美高森美) |
产品类别： | 晶体管IGBT |
商品描述： | IGBT MODULE 650V 100A 250W SP1 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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MICROSEMI(美高森美) APTGTQ100DA65T1G
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APTGTQ100DA65T1G 中文资料
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APTGTQ100DA65T1G 规格参数
属性
参数值
制造商型号
APTGTQ100DA65T1G
制造商
MICROSEMI(美高森美)
商品描述
IGBT MODULE 650V 100A 250W SP1
包装
-
系列
-
零件状态
Active
IGBT 类型
-
配置
Boost Chopper
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
100A
功率 - 最大值
250W
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
2.2V @ 15V, 100A
电流 - 集电极截止（最大值）
100µA
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
6nF @ 25V
输入
Standard
NTC 热敏电阻
Yes
工作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/外壳
Module
供应商器件封装
SP1
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 100 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥505.300824 总价：￥50530.08 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 100 | 505.300824 | 50530.08 |
