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晶体管-FET，MOSFET-射频

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晶体管-FET，MOSFET-射频

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晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：54W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

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晶体管-FET，MOSFET-射频

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晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：900mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：210mΩ @ 14A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：105W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125mW 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

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晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.6V @ 250uA 漏源导通电阻：70mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.3Ω @ 2.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：95W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.7Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：93W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：12.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：88W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：3mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：160W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：23.6W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.25Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：42W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：58W 类型：N沟道

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晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 24A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：69W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.7Ω @ 1.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：55W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：100mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：175W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：6.5mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：52.1W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 24A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：101W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：双N沟道

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晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：166W 类型：N沟道

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