制造商型号: | ZXMHC6A07T8TA |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) ZXMHC6A07T8TA
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ZXMHC6A07T8TA 中文资料
数据手册PDF
ZXMHC6A07T8TA 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 4 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 1.8 A, 1.5 A
漏源电阻 300 mOhms, 425 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 3.2 nC, 5.1 nC
耗散功率 1.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Quad
下降时间 2 ns, 5.8 ns
正向跨导(Min) 2.3 S, 1.8 S
上升时间 1.4 ns, 2.3 ns
晶体管类型 2 N-Channel, 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 4.9 ns, 13 ns
典型接通延迟时间 1.8 ns, 1.6 ns
外形参数
高度 1.6 mm
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 74 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1000 | 5.560936 | 5560.94 |
2000 | 5.481494 | 10962.99 |
5000 | 5.084285 | 25421.43 |
10000 | 4.885716 | 48857.16 |
25000 | 4.766517 | 119162.93 |
品牌其他型号
ZXMHC6A07T8TA品牌厂家:DIODES
,所属分类: 射频晶体管
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