制造商型号: | DMT6017LDV-7 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI33 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) DMT6017LDV-7
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DMT6017LDV-7 中文资料
数据手册PDF
DMT6017LDV-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 65 V
漏极电流 25.3 A
漏源电阻 22 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 2.3 V
栅极电荷 15.3 nC
耗散功率 980 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3.3 ns
上升时间 5.9 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 11.7 ns
典型接通延迟时间 4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 2000 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥4.168922 总价:¥8337.84 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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2000 | 4.168922 | 8337.84 |